Vishay General Semiconductor – Diodes Division / GB35XF120K
ಚಿತ್ರವು ಉಲ್ಲೇಖಕ್ಕಾಗಿ, ನೈಜ ಚಿತ್ರವನ್ನು ಪಡೆಯಲು ದಯವಿಟ್ಟು ನಮ್ಮನ್ನು ಸಂಪರ್ಕಿಸಿ
GB35XF120K
| ತಯಾರಕ ಭಾಗ ಸಂಖ್ಯೆ: | GB35XF120K |
| ತಯಾರಕ: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| ವಿವರಣೆಯ ಭಾಗ: | IGBT MODULE 1200V 50A 284W |
| ಡೇಟಾಶೀಟ್‌ಗಳು: | GB35XF120K ಡೇಟಾಶೀಟ್‌ಗಳು |
| ಲೀಡ್ ಉಚಿತ ಸ್ಥಿತಿ / RoHS ಸ್ಥಿತಿ: | ಲೀಡ್ ಫ್ರೀ / RoHS ಕಂಪ್ಲೈಂಟ್ |
| ಸ್ಟಾಕ್ ಸ್ಥಿತಿ: | ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ |
| ನಿಂದ ಶಿಪ್: | Hong Kong |
| ಸಾಗಣೆ ಮಾರ್ಗ: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ಟೀಕೆ
- ಸಕ್ರಿಯ-ಅರೆ GB35XF120K chipnets.com ನಲ್ಲಿ ಲಭ್ಯವಿದೆ. ನಾವು ಹೊಸ ಮತ್ತು ಮೂಲ ಭಾಗವನ್ನು ಮಾತ್ರ ಮಾರಾಟ ಮಾಡುತ್ತೇವೆ ಮತ್ತು 1 ವರ್ಷದ ವಾರಂಟಿ ಸಮಯವನ್ನು ನೀಡುತ್ತೇವೆ. ನೀವು ಉತ್ಪನ್ನಗಳ ಕುರಿತು ಇನ್ನಷ್ಟು ತಿಳಿದುಕೊಳ್ಳಲು ಅಥವಾ ಹೆಚ್ಚು ಉತ್ತಮ ಬೆಲೆಯನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸಲು ಬಯಸಿದರೆ, ದಯವಿಟ್ಟು ನಮ್ಮನ್ನು ಸಂಪರ್ಕಿಸಿ ಆನ್‌ಲೈನ್ ಚಾಟ್ ಕ್ಲಿಕ್ ಮಾಡಿ ಅಥವಾ ನಮಗೆ ಉಲ್ಲೇಖವನ್ನು ಕಳುಹಿಸಿ.
ESD ಆಂಟಿಸ್ಟಾಟಿಕ್ ರಕ್ಷಣೆಯ ಮೂಲಕ ಎಲ್ಲಾ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಘಟಕಗಳು ಅತ್ಯಂತ ಸುರಕ್ಷಿತವಾಗಿ ಪ್ಯಾಕಿಂಗ್ ಮಾಡಲ್ಪಡುತ್ತವೆ.
ನಿರ್ದಿಷ್ಟತೆ
| ಮಾದರಿ | ವಿವರಣೆ |
|---|---|
| ಸರಣಿ | - |
| ಪ್ಯಾಕೇಜ್ | - |
| ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ | Obsolete |
| ಐಜಿಬಿಟಿ ಪ್ರಕಾರ | NPT |
| ಸಂರಚನೆ | Three Phase Inverter |
| ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ) | 1200 V |
| ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ) | 50 A |
| ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ | 284 W |
| Vce (ಆನ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 50A |
| ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ) | 100 µA |
| ಇನ್ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (Cies) @ Vce | 3.475 nF @ 30 V |
| ಇನ್ಪುಟ್ | Standard |
| ಎನ್‌ಟಿಸಿ ಥರ್ಮಿಸ್ಟರ್ | No |
| ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ | 150°C (TJ) |
| ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ | Chassis Mount |
| ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ | ECONO2 |
| ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ | - |
ಸ್ಟಾಕ್ ಸ್ಥಿತಿ: ಅದೇ ದಿನದ ಶಿಪ್ಪಿಂಗ್
ಕನಿಷ್ಠ: 1
| ಪ್ರಮಾಣ | ಘಟಕ ಬೆಲೆ | Ext. ಬೆಲೆ |
|---|---|---|
ಬೆಲೆ ಲಭ್ಯವಿಲ್ಲ, ದಯವಿಟ್ಟು RFQ |
||
ಸರಕು ಲೆಕ್ಕಾಚಾರ
FedEx ನಿಂದ US $40.
3-5 ದಿನಗಳಲ್ಲಿ ಆಗಮಿಸಿ
ಎಕ್ಸ್‌ಪ್ರೆಸ್:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150$ ಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ಆರ್ಡರ್‌ಗಳಿಗೆ ಮೊದಲ 0.5kg ನಲ್ಲಿ ಉಚಿತ ಶಿಪ್ಪಿಂಗ್, ಅಧಿಕ ತೂಕವನ್ನು ಪ್ರತ್ಯೇಕವಾಗಿ ವಿಧಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ
ಜನಪ್ರಿಯ ಮಾದರಿಗಳು
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
ಕಾರ್ಟ್‌ಗೆ ಸೇರಿಸಲಾಗಿದೆ!
ಈ ಐಟಂ ಅನ್ನು ನಿಮ್ಮ ಕಾರ್ಟ್‌ಗೆ ಸೇರಿಸಲಾಗಿದೆ.